山东氮化镓单晶基片生产厂家

氮化镓作为第三代半导体，也被诺贝尔物理学获奖者中村修二称之为“*衬底”，其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，使得它成为迄今理论上电光、光电转换效率*高的材料体系，并可以成为制备宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件的关键基础材料。

指标：

2英寸直径蓝宝石衬底外延GaN厚膜

厚度： 10~50?m（蓝宝石衬底外延GaN）

位错密度：小于1×107 cm-2

TTV：≦ 10 ?m

BOW：≦ 15 ?m

?自支撑GaN单晶衬底

厚度： 400.0μm ±30.0μm，300μm ±30.0  μm，

位错密度：小于5×106 cm-2

TTV：≦ 10 ?m

BOW：≦ 15 ?m

粗糙度：Ra≤0.2 nm

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